磁敏二极管的内部结构不同于普通二极管的内部结构。
在P区域和N区域之间存在高纯度空间电荷区域，其远大于载体的扩散长度 - 第一区域，并且区域1的一侧嵌入负载。
高复合区-R区，基本结构如图1所示。
该管采用电子和空穴双注入效应和复合效应来控制流过PN结的电流。
在外部磁场的作用下，两种效果结果取得了产品的价值。
因此它具有高检测灵敏度。
当外部没有磁场时，施加正向电压，并且大部分N区电子被注入P区的空穴中（图2）。
只有少数载流子在1和R区重新组合，器件处于稳定状态。
如果将正向磁场B +（图3）添加到外部，则在前向磁力洛伦兹力的作用下，空穴和电子的运动方向偏向R区域，并且空穴和电子的复合率在R地区是非常高的。
因此，大多数载流子在R区域重新组合，并且第一区域中的载流子数量大大减少，R区域中的电阻增加，并且电压降也增加，因此环路产生正反馈，因此管的外部表现为电阻器。
当电流增加时，电压降增加。
相反，当B-（图4）施加到外部时，外部电阻减小，电流增加，并且电压降减小。
磁二极管的电压输出特性如图5所示。
从图中可以看出，在弱磁场下，输出电压（U）与磁感应（B）呈线性关系，伏安磁二极管的特性如下。
图6显示。
当磁感应强度B不同时，存在不同的伏安特性曲线，AB是负载线。
从图中可以看出，通过磁二极管的电流越高，输出电压越高，同一磁场下的灵敏度越高。
在负磁场的作用下，其电阻小，电流大;在前向磁场的作用下，其电阻大，电流小。
最后，在选择电子管时，必须注意一些重要的参数，额定工作电压：V0;工作电流：L0;并使用频率限制f0。
例如，家用2ACM-1A管具有V0 = 12V，2mA <I0 <215mA，以及f0 <10kHz。
普通二极管在结构上非常不同，并且其P和N区域由高电阻硅材料制成。
较长的本征区I夹在P区和N区之间，其中本征区I的一个面被研磨成光滑的复合表面（称为区I），另一侧被粗糙化以形成高复合材料。
在区域（称为r区域）中，半导体材料中固有的电子 - 空穴对容易在r区域中重新组合，并且结构和工作原理在图中示出。
从图的（c）可以看出，当没有磁场并且磁敏二极管正向偏置时，电子 - 空穴对在VDM管内部朝向彼此迁移。
当经受（d）中所示的磁场时，电子和空穴被洛伦兹力偏转到r区域。
由于r区的快速复合率，电子 - 空穴对迁移的数量迅速减少。
对于外部电路，电流Ii减小，或电阻率增加。
当磁场强度较大时，电流Ii较小。
当经受（e）中所示的磁场时，电子和空穴被洛伦兹力偏转到I区域。
由于电子 - 空穴对具有迁移角度的变化，因此复合概率小于不受磁场影响时的复合概率。
外部电路呈现电流I;增加或减少电阻率。
这导致了结论;当磁二极管经受不同的磁场方向时，电阻率的变化方向不同，并且都随着磁场强度的变化而变化。
该特征使得能够转换磁电信号。
从1967年到1968年，日本开发了硅和锗磁敏二极管。
这些新器件的转换灵敏度比霍尔元件高几百甚至几千倍。
磁二极管是P（-in（型长二极管（i意味着近本征半导体）。
它的原理是在施加电压的作用下。
从P（，n）（该区域将载流子（空穴和电子）注入i区域此时，如果它们经受垂直于载流子运动方向的磁场H，则它们朝向复合区域偏转。
载流子复合区域具有比i区域更高的复合概率，因此寿命缩短，有效延伸长度减小，i区域的电压降增加，P（-i结和in（结的结偏压减小，通过i区域的电流减小）。
在相反磁场H的作用下，上述过程相反。
因此，它可用于测量磁场。
磁敏二极管适用于测量弱磁场（如地磁测量仪器），以及n被制成由磁场触发的非接触开关。
非接触式电流表是利用导线周围的磁场制作的，调制器，自动增益控制电路和非接触式电位器是利用磁场变化制成的，直流无刷电机是通过与其他设备相结合而形成的。
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它在自动化仪表中的应用。
很有潜力。
磁性三极管是在磁敏二极管的基础上发展起来的。
它的一端是集电极和发射极e（n（区域），另一端是P（区域是基极b）（图3 [磁性三极管的结构]）。
磁场的作用增加或减少虽然它的电流放大系数小于1，但基极电流和电流放大系数都具有磁灵敏度，因此可以获得远高于磁敏二极管的灵敏度。
仍处于开发阶段的新器件可以用磁敏三极管代替，其中使用霍尔元件，磁阻元件和磁敏二极管。
磁敏三极管特别适用于需要高灵敏度的应用，如微引信，地震。
探测等方面。
