如果开关断开，则寄生电感中累积的能量由开关的寄生电容充电，并且开关电压上升。
当电压上升到缓冲电容器的电压时，缓冲二极管导通，开关电压被吸收二极管钳位，约为1V。
寄生电感中累积的能量也对吸收电容器充电。
在接通期间，缓冲电容器通过电阻器放电。
p首先分割MOS管的VD :.输入直流电压VDC; ，二次反射初级VOR; #main MOS管VD余量VDS;ぃRCD吸收有效电压VRCD1。
对于上述主MOS管VD的几个部分计算两个p：输入DC电压是VDC。
在计算VDC时，它基于最高输入电压值。
对于宽电压，应选择AC265V，即DC375V。
VDC = VAC *√2，二次反射初级VOR。
根据次级输出的最高输出电压和整流二极管的最大电压降来计算VOR。
例如，输出电压为：5.0V±5％（根据Vo = 5.25V计算），二极管VF为0.525V（该值为1N5822）。
找到数据中额定电流下的VF值。
VOR =（VF + Vo）* Np / Ns＃主MOS管VD VDS的余量。
VDS基于MOS管VD的10％。
例如，KA05H0165R的VD = 650应为DC65V。
VDS = VD * 10％ぃRCD吸收VRCD。
减去MOS管的VD。
H项留下VRCD的最大值。
实际选择的VRCD应该是最大值的90％（这主要是由于诸如开关电源的各种组件的分散，温度漂移和时间漂移等因素）。
VRCD =（VD-VDC -VDS）* 90％注：1 VRCD计算理论值，然后通过实验进行调整，使实际值与理论值一致。
2 VRCD必须大于VOR的1.3倍。
（如果小于1.3倍，则主MOS管的VD值选择得太低。
）3 MOS管VD应小于VDC的2倍。
（如果超过2次，则主MOS晶体管的VD值过大。
）4如果VRCD的测量值小于VOR的1.2倍，则RCD吸收环路会影响电源效率。
5 VRCD由ィRC时间常数τ决定，由VRCD1和VOR组成。
τ由开关电源的工作频率决定。
通常，选择10到20个开关电源周期。
三p测试调整VRCD值首先假设RC参数，R = 100K / RJ15，C =“10nF / 1KV”。
重新上市电应首先遵循低压高压原则，然后轻载至重负荷。
在测试期间应密切监视RC组件上的电压值，确保VRCD小于计算值。
如果发现达到计算值，则应立即关闭电源。
R值降低后，重复上述测试。
（用示波器观察RC元件上的电压值。
示波器的地连接到输入电解电容的“+”极的RC点，测试点连接到RC的另一个点。
）合适的RC值应为最高输入电压。
在最大的功率负载下，VRCD的实验值等于理论计算。
四p测试中值得注意的现象输入电网电压越低，VRCD越高，负载越高，VRCD越高。
然后，在最低输入电压和重负载下，如果VRCD的测试值大于理论计算的VRCD值，是否与（3）的内容相矛盾？根本没有矛盾。
理论值是在最高输入电压下计算的结果，但现在是低输入电压。
重负载是开关电源可以达到的最大负载。
主要通过测试来测量开关电源的最终功率。
RC和RCD吸收电路也可以使变压器去磁。
在这种情况下，不必单独设置由变压器绕组和二极管组成的去磁电路。
变压器的激励能量在吸收电阻中消耗。
RC和RCD缓冲电路不仅消耗变压器漏感中累积的能量，而且还消耗变压器的激励能量，从而降低了转换器的转换效率。
RCD吸收电路通过二极管钳位开关电压，效果优于RC。
它也可以使用更大的电阻，能量损耗小于RC。
1.RCD电容器C的电压非常慢，因此mos管的电压缓慢上升。
mos管的关断与二次导通之间的间隔太长。
变压器的能量传递过程很慢，并且主要激励的相当一部分在RC电路上消耗了电感器能量。
2.RCD电容器C特别大（使电压上升到二次反射电压）。
电容器电压很小，电压峰值小于次级反射电压，因此次级不能导通，导致初级能量在RCD电路中完全消耗。
因此，在次级电压下降之后达到新的平衡，理论计算无效，并且输出电压降低。
3. RCD电阻和电容产品R×C小电压过冲，存储在电容上的能量很小，所以电压迅速下降到二次反射电压，电阻会消耗初级磁化电感能量，直到mos管是接通，电阻器电容器能量缓慢释放，由于RC很小，可能会发生振荡，就像没有RCD电路一样。
4. RCD电阻和电容乘积R×C合理，C小如果参数选择合理，在MOS管导通之前，电容器上的电压接近二次反射电压。
此时，电容器能量被放电，缺点是此时电压尖峰很高。
电容和mos管应力非常大5. RCD电阻和电容乘积R×C是合理的，R，C适用于上述情况，增加电容，可以降低电压峰值，调节电阻，在mos管之前是电容器总是释放能量，这与上面的最大值不同，或者电容器总是具有一定的能量。
